Numer produktu producenta:
TSM220NB06LCR RLG
Product Overview
Producent:
Taiwan Semiconductor Corporation
Numer części:
TSM220NB06LCR RLG-DG
Opis:
MOSFET N-CH 60V 8A/35A 8PDFN
Szczegółowy opis:
N-Channel 60 V 8A (Ta), 35A (Tc) 3.1W (Ta), 68W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (5.2x5.75)
Magazyn:
3179 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12895343
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
TSM220NB06LCR RLG Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Taiwan Semiconductor
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
8A (Ta), 35A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
22mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1314 pF @ 30 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
3.1W (Ta), 68W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
8-PDFN (5.2x5.75)
Pakiet / Walizka
8-PowerLDFN
Podstawowy numer produktu
TSM220
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
TSM220NB06LCRRLGDKR
TSM220NB06LCRRLGTR
TSM220NB06LCRRLGCT
Pakiet Standard
2,500
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
TSM9N90ECI C0G
MOSFET N-CH 900V 9A ITO220AB
TSM4459CS RLG
MOSFET P-CHANNEL 30V 17A 8SOP
DMP4015SPS-13
MOSFET P-CH 40V 8.5A PWRDI5060-8